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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
NTD110N02R	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=110A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=24V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.1mΩ(TYP.)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
NTD110N02R	PowerMOSFET 文件：64.11 Kbytes Page：8 Pages	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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T110N02供应商更多...

更新时间：2025-7-9 12:43:01

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SZNUP2105LT1G
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2020-4-12
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