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位置：首页 > IC中文资料第10221页 > T-998

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
T-998

DDSApplicationsPulseTransformers

文件：61.93 Kbytes Page：1 Pages

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

RHOMBUS-IND
T-998

DDSAplicationsPulseTransformers

文件：41.29 Kbytes Page：1 Pages

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

RHOMBUS-IND
T-998G

DDSAplicationsPulseTransformers

文件：28.74 Kbytes Page：1 Pages

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

RHOMBUS-IND
T-998G

DDSApplicationsPulseTransformers

文件：61.93 Kbytes Page：1 Pages

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

RHOMBUS-IND
T-998NC

DDSAplicationsPulseTransformers

文件：40.68 Kbytes Page：1 Pages

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

RHOMBUS-IND
BF998

N-ChannelDualGateMOS-FieldeffectTetrode,DepletionMode

Features •Integratedgateprotectiondiodes •Lownoisefigure •Lowfeedbackcapacitance •Highcrossmodulationperformance •Lowinputcapacitance •HighAGC-range •Highgain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay
BF998

SiliconNChannelMOSFETTetrode(Short-channeltransistorwithhighS/CqualityfactorForlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz)

Features ●Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor ●Forlow-noise,gain-controlledinputstagesupto1GHz

SIEMENSSiemens Ltd

西门子德国西门子股份公司

SIEMENS
BF998

SiliconN-ChannelMOSFETTetrode

SiliconN_ChannelMOSFETTetrode •Short-channeltransistorwithhighS/Cqualityfactor •Forlow-noise,gain-controlledinputstageupto1GHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon
AS998

ICintendedforuseasaPWMcontroller

文件：30.91 Kbytes Page：6 Pages

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1
BF998

SiliconN-channeldual-gateMOS-FETs

文件：114.27 Kbytes Page：12 Pages

PhilipsROYAL PHILIPS

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

T-998产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    T-998

  • 制造商

    RHOMBUS-IND

  • 制造商全称

    Rhombus Industries Inc.

  • 功能描述

    DDS Aplications Pulse Transformers

T-998供应商更多...

更新时间：2024-6-5 16:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市维尔达电子有限公司
T99C01
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T99C01
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T99C01
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T99C01
2023+
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2023+
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T9990B
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T9990B
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