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STGWA60NC60WDR中文资料

厂家型号

STGWA60NC60WDR

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12

功能描述

Power factor correction

IGBT 晶体管 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGWA60NC60WDR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGWA60NC60WDR

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 60A 600V UF IGBT PowerMESH High Freq

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-8 16:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST全系列
25+23+
TO-247lo
26611
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STM
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STGWA60NC60WDR 价格

参考价格:¥40.6304

型号:STGWA60NC60WDR 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STGWA60NC60WDR多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STGWA60NC60WDR批发/采购报价,STGWA60NC60WDR行情走势销售排排榜,STGWA60NC60WDR报价。