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STGB18N40LZ-1中文资料

厂家型号

STGB18N40LZ-1

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18

功能描述

EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT

IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400V IGBT

数据手册

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生产厂商

STMICROELECTRONICS

STGB18N40LZ-1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STGB18N40LZ-1

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400V IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-9-30 15:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
25+
TO-262-3 长引线 I?Pak TO-26
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
STMicroelectronics
24+
NA
3539
进口原装正品优势供应
STMICROELECTRONICS
24+
NA
21000
原装现货,专业配单专家
STMICROELECTRONICS
21+
标准封装
100
保证原装正品,需要联系张小姐 13544103396 微信同号
STMICROELECTRONICS
22+
N/A
2500
进口原装,优势现货
ST
24+
TO220MONOC..
8866
ST
22+
TO220MONOC..
6000
十年配单,只做原装
ST/意法
22+
TO220MONOC..
14967
ST
16+
SOT-263
3793
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST
NA
16355
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货