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General Description
DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as solar power.
Features
Low VCE(sat) Fast IGBT technology
Low switching loss
Maximum junction temperature 175oC
VCE(sat) with positive temperature coefficient
Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD
Typical Applications
Solar power
UPS
3-level-application
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STARPOWER |
30 |
||||||
STARPOWER |
11月21日 |
con |
30 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
|||
STARPOWER |
24+ |
MODULE |
1000 |
全新原装现货 |
|||
24+ |
SMD |
3200 |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
||||
F |
24+ |
DIP |
5000 |
全现原装公司现货 |
|||
F |
25+ |
DIP |
76 |
原装正品,假一罚十! |
|||
MAXIM |
23+ |
SOIC-16 |
65480 |
||||
INTERSIL |
23+ |
2951 |
1003 |
全新原装现货 |
|||
VISHAY/威世 |
1629+ |
MSOP10 |
4620 |
代理品牌 |
|||
Vishay Siliconix |
22+ |
10MSOP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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- NSZ15KB1K00-01
- NSZ15KB1K00-03
- NSZ15KB1K00-04
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- NT6TL64M32RC3-G0
- NT6TL64M32RC3-G1
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STARPOWER相关芯片制造商
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StarPower Europe AG
中文资料: 387条
StarPower Europe AG是一家专注于为高功率设计提供优化功率模块的公司，其将先进的装配工艺与高效的硅（Si）和碳化硅（SiC）芯片技术相结合，推出了一系列广泛的标准模块，并根据行业趋势和市场需求不断更新产品系列；同时，公司也意识到部分项目有特殊需求，因此提供从不同芯片布局到基于现有封装和半导体范围改进热管理等多种定制服务；此外，公司还推出了如新型62mm封装的1200V 800A半桥IGBT模块、1200V 900A单IGBT模块、C6.1封装的1200V 900A半桥IGBT模块等产品，致力于为各应用领域提供成熟可靠的解决方案，并提供就业机会。
