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BSM50GD120DN2中文资料

厂家型号

BSM50GD120DN2

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126.6Kbytes

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9

功能描述

IGBT Power Module (Power module 3-phase full-bridge Including fast free-wheel diodes)

IGBT 模块 1200V 50A FL BRIDGE

数据手册

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生产厂商

Siemens Ltd

简称

SIEMENS

中文名称

官网

LOGO

BSM50GD120DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM50GD120DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 50A FL BRIDGE

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2024-4-26 16:22:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
23+
AG-ECONO2-2
914
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
EUPEC
08+
IGBT
77
绝对全新原装强调只做全新原装现
IGBT
23+
模块
45
0
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21+
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1500
INFINEON/英飞凌
24+
SMD
10250
只做原装现货13691986278微信

BSM50GD120DN2 价格

参考价格:¥1753.4413

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  • SILICOM
  • SILICONIMAGE
  • SiliconLabs

Siemens Ltd

中文资料: 12757条

德国西门子股份公司创立于1847年,是全球电子电气工程领域的领先企业。西门子自1872年进入中国,140余年来以创新的技术、卓越的解决方案和产品坚持不懈地对中国的发展提供全面支持,并以出众的品质和令人信赖的可靠性、领先的技术成就、不懈的创新追求,确立了在中国市场的领先地位。2015年(2014年10月1日至2015年9月30日),西门子在中国的总营业收入达到69.4亿欧元,拥有超过32000名员工。西门子已经发展成为中国社会和经济不可分割的一部分,并竭诚与中国携手合作,共同致力于实现可持续发展。2014年9月,西门子股份公司和博世集团达成协议:罗伯特·博世公司将收购西门子所持有的合资企业博世