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BSM50GB120DN2中文资料
BSM50GB120DN2数据手册规格书PDF详情
• Half-bridge
• Including fast free-wheeling diodes
• Package with insulated metal base plate
BSM50GB120DN2产品属性
- 类型
描述
- 型号
BSM50GB120DN2
- 功能描述
IGBT 模块 1200V 50A DUAL
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
更新时间：2025-11-24 15:40:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
17048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
infineon |
24+ |
IGBTMODULE |
3150 |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
INFINEON |
25+23+ |
MODULE |
35263 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
INFINEON |
19+ |
MODULE |
32000 |
原装正品,现货特价 |
|||
INFINEON |
20+ |
原装模块 |
368 |
样品可出,原装现货 |
|||
INFINEON |
25+ |
模块 |
96 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
INFINEON |
23+ |
IGBT |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
|||
Infineon |
13+ |
IGBT |
2 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
MODULE |
7562 |
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价 |
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