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BSM50GB120DN2中文资料

厂家型号

BSM50GB120DN2

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功能描述

IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)

IGBT 模块 1200V 50A DUAL

数据手册

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生产厂商

SIEMENS

BSM50GB120DN2数据手册规格书PDF详情

• Half-bridge

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

BSM50GB120DN2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BSM50GB120DN2

  • 功能描述

    IGBT 模块 1200V 50A DUAL

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-10-8 8:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SIEMENS
24+
模块
6430
原装现货/欢迎来电咨询
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
17048
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
EUPEC
08+
IGBT
77
绝对全新原装强调只做全新原装现
IGBT
23+
模块
26
0
德国英飞凌Infineon
2021+
原厂原封装
93628
原装进口现货 假一罚百
infineon
24+
IGBTMODULE
3150
绝对原装现货,价格低,欢迎询购!
EUPEC/欧派克
24+
162150
明嘉莱只做原装正品现货
EUPEC/欧派克
19+
IGBT
1290
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网