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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.2mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=60A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

ISC

无锡固电

Power MOSFET

文件:179.1 Kbytes Page:4 Pages

SHINDENGEN

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:2.30944 Mbytes Page:6 Pages

DOINGTER

杜因特

Power MOSFETs 40V, 60A, N-channel

文件:1.68695 Mbytes Page:7 Pages

SHINDENGEN

更新时间:2025-11-1 23:00:01
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