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P60B4SN中文资料

厂家型号

P60B4SN

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

P60B4SN数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current –ID=60A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS= 40V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 4.0mΩ(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

更新时间:2025-10-9 11:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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