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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=25A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=29.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

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DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

DOINGTER

PowerMOSFET

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SHINDENGENSHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO.LTD

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SHINDENGEN

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APEX-ELECTRONICS

Apex Electronics Co., Ltd

APEX-ELECTRONICS

PulsetransformersdesignedforSemikron

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PREMOPREMO CORPORATION S.L

普莱默普莱默电子(芜湖)有限公司

PREMO
更新时间:2024-6-24 11:34:01
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