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P25B6EB

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=25A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 29.0mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

ISC

无锡固电

P25B6EB

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

P25B6EB

Power MOSFET

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SHINDENGEN

P25B6EB

Power MOSFETs SMD

SHINDENGEN

Pushbutton switch, multiple options of caps, 1 amp

文件:1.13579 Mbytes Page:8 Pages

APEX-ELECTRONICS

Pulse transformers designed for Semikron

文件:662 Kbytes Page:6 Pages

PREMO

普莱默

更新时间:2025-10-8 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SHINDENGEN/新电元
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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原装正品,支持实单
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原装优势主营型号-可开原型号增税票
SHINDENGEN/新电元
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TO-252
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原厂代理 终端免费提供样品
NIKO
24+
TO-252
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