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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
SWR200N10G | 中压 MOSFETs | STARWING 星荣半导体 |   | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters | GOFORD 谷峰半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 9mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：119.44 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Power MOSFET 文件：208.05 Kbytes Page：6 Pages | IXYS 艾赛斯 | | ||
Polar HiPerFET Power MOSFET 文件：91.89 Kbytes Page：5 Pages | IXYS 艾赛斯 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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