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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-channelEnhancedmodeTO-251/TO-251M/TO-252MOSFET

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SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

SEMIPOWER

3Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:223.56 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

NPN/PNPDUALEMITTERCHOPPERBI-POLARTRANSISTORS

文件:148.75 Kbytes Page:1 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

NJSEMI

FastSwitching

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-CHANNELFASTSWITCHINGMOSFET

文件:247.46 Kbytes Page:5 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

3Amps,900VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件:185.94 Kbytes Page:6 Pages

UTCYoushun Technology Co., Ltd

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
更新时间:2024-6-17 11:11:00
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