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N - Channel 150 - V (D-S) 175C MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 18A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 150V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 95mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 150-V (D-S) 175C MOSFET

VishayVishay Siliconix

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Commercial Normally Open Multi-throw, DC-3GHz, Low PIM

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WILLOW

SUP18N15产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUP18N15

  • 功能描述

    MOSFET 150V 18A 88W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-26 18:20:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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