位置：首页 > IC中文资料第3674页 > SUM110P08-11-E3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix | ETC |   | ||
Vishay Siliconix | ETC | |
SUM110P08-11-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SUM110P08-11-E3
- 功能描述
MOSFET 80V 110A 375W 11.1mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2026-1-28 21:39:02
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
1932+ |
TO-263 |
240 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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VISHAY |
25+ |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
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VISHAY |
25+23+ |
TO263 |
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绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
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VISHAY |
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D2PAK/TO263 |
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代理全新原装现货,价格优势 |
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Vishay |
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TO-263 |
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Vishay(威世) |
24+ |
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VISHAY |
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TO-263 |
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VISHAY/威世 |
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NA |
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Vishay(威世) |
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11800 |
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2019-10-14
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