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SUD50N10-18P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 50A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =18.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

SUD50N10-18P

N-Channel 100 V (D-S), 175 °C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD50N10-18P

N-Channel 100-V (D-S), 175 °C MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 100-V (D-S), 175 °C MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 100 V (D-S), 150 °C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

文件:336.81 Kbytes Page:5 Pages

AnalogPower

N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology

文件:1.64749 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

文件:469.46 Kbytes Page:4 Pages

SECOS

喜可士

SUD50N10-18P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUD50N10-18P

  • 功能描述

    MOSFET 100V 50A 136.4W 18.5mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-18 11:30:00
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VISHAY/威世
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