型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
SUD50N03-10AP

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 10mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

SUD50N03-10AP

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD50N03-10AP

N-Channel 30-V (D-S), 175C, MOSFET PWM Optimized

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUD50N03-10AP

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 15A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =10mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 30-V (D-S), 175C MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

SUD50N03-10AP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUD50N03-10AP

  • 功能描述

    MOSFET 30V 20A 71W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-23 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
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