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SUD50N02-09P

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=20A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=20V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
SUD50N02-09P

N-Channel20-V(D-S)175DegreeCelciousMOSFET

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威世科技威世科技半导体

Vishay
SUD50N02-09P

N-Channel20-V(D-S),175CelsiusMOSFET

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SUD50N02-09P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUD50N02-09P

  • 功能描述

    MOSFET 20V 20A 6.5W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-17 16:09:00
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