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SUB85N03-07P

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

SUB85N03-07P

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUB85N03-07P

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 7.0mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SUB85N03-07P产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB85N03-07P

  • 功能描述

    MOSFET 30V 85A 107W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
22+
SOT263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
VISHAY
21+
TO220
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VISHAY
TO263
53650
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
VISHAY
24+
TO220
18000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
VISHAY
2016+
TO263-2
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
Vishay
17+
TO-263
6200
SILICONIX
24+
SOT-263
252
VISHAY
24+
TO263
35200
一级代理/放心采购
VBsemi/台湾微碧
22+
TO-263
20000
公司只做原装 品质保证
VBsemi(台湾微碧)
2447
TO263
105000
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期

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