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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 85A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 20V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 3mΩ(Max)@VGS= 4.5V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 20-V (D-S), 175C MOSFET

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N-Channel 20-V (D-S) 175C MOSFET

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free • TrenchFET® Gen III Power MOSFET • 100 Rg Tested • 100 UIS Tested APPLICATIONS • DC/DC Conversion - System Power

VBSEMI

微碧半导体

丝印代码:HM85N02;Hard switched and high frequency circuits

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HMSEMI

华之美半导体

丝印代码:HM85N02K;Fully characterized avalanche voltage and current

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HMSEMI

华之美半导体

Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK

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安森美半导体

Power MOSFET 85 Amps, 24 Volts N-Channel DPAK

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ONSEMI

安森美半导体

SUB85N02产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SUB85N02

  • 功能描述

    MOSFET 20V 85A 250W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-5-25 12:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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