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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

DESCRIPTION This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance. ■ TYPICAL RDS(

STMICROELECTRONICS

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更新时间:2025-12-18 10:31:01
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原装进口公司现货假一赔百
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TO-220
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ST/意法
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