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STW56N65M2

Extremely low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STW56N65M2

N沟道650 V、0.049 Ohm典型值、49 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-247封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N沟道650 V、0.049 Ohm典型值、49 A MDmesh M2功率MOSFET,TO247-4封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

Extremely low gate charge

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-12-16 23:01:00
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