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STW56N60M2 | Extremely low gate charge 文件：681.82 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STW56N60M2 | N沟道600 V、0.045 Ohm典型值、52 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-247封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
N沟道600 V、0.045 Ohm典型值、52 A MDmesh M2功率MOSFET，TO247-4封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Extremely low gate charge 文件：913.28 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-12-17 20:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2023-2-10STW6N95K5
製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
2021-6-9STW48N60DM2
STW48N60DM2,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-25
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