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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 54A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.054Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | ||
N-channel 500 V, 0.040 廓, 54 A, MDmesh??II Power MOSFET TO-247 文件：354.64 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 500 V, 0.040 Ω, 54 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STW55NM50产品属性
- 类型
描述
- 型号
STW55NM50
- 功能描述
MOSFET N-channel 500V, 54 A Power II Mdmesh
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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製造商: STMicroelectronics 產品類型: MOSFET 技術: Si 安裝風格: Through Hole 封裝/外殼: TO-247-3 晶體管極性: N-Channel 通道數: 1 Channel Vds - 漏-源擊穿電壓: 950 V Id - C連續漏極電流: 9 A Rds On - 漏-源電阻: 1.25 Ohms Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V， + 30 V Vgs th - 門源門限電壓 :
2021-6-9STW48N60DM2
STW48N60DM2,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
2020-10-25
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