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位置：首页 > IC中文资料第2707页 > STW30NM60D

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STW30NM60D

N-CHANNEL600V-0.125-30ATO-247FastDiodeMDmeshMOSFET

文件：244.48 Kbytes Page：9 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB30NM60ND

N-channel600V-0.11廓-25ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247FDmesh??IIPowerMOSFET(withfastdiode)

Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybody

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB30NM60ND

N-channel600V,0.11廓,25AFDmesh??IIPowerMOSFET(withfastdiode)TO-220,TO-220FP,D2PAK,I2PAK,TO-247

Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybody

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STF30NM60ND

N-channel600V-0.11廓-25ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247FDmesh??IIPowerMOSFET(withfastdiode)

Description TheFDmesh™IIseriesbelongstothesecondgenerationofMDmesh™technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompanysstriplayoutandassociatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybody

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STB30NM60N

N-channel600V,0.1廓,25A,MDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,TO-247,D2PAK,I2PAK

文件：768.37 Kbytes Page：18 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STF30NM60N

N-channel600V,0.1廓,25A,MDmesh??IIPowerMOSFETTO-220,TO-220FP,TO-247,D2PAK,I2PAK

文件：768.37 Kbytes Page：18 Pages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS

STW30NM60D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW30NM60D

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 600 Volt 30 Amp

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

STW30NM60D供应商更多...

更新时间：2024-5-11 18:51:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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STW30NM60D
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