型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

MOSFET N-CH 500V 22A TO-247

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 500 V, 0.11 廓, 22 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-CHANNEL 500V 0.11ohm - 22 A TO-220/FP/D/IPAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmesh MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-channel 500V - 0.11廓 - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

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意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.14Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-channel 500V - 0.11廓 - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmesh??Power MOSFET

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意法半导体

N-channel 500 V, 0.11 廓, 22 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, TO-247

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STW25NM50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STW25NM50

  • 功能描述

    MOSFET IGBT MOSFET Driver Power MDmesh

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-1 17:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
30
247
ST/意法
18
92
ST/意法半导体
21+
TO-247-3
8080
只做原装,质量保证
ST
24+
TO-247
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
ST
23+
TO-247
7510
绝对全新原装!优势供货渠道!特价!请放心订购!
ST
25+
TO-247
18000
原厂直接发货进口原装
ST/意法
24+
TO-247
42000
郑重承诺只做原装进口现货
ST
24+
N/A
8000
全新原装正品,现货销售
ST
25+
原厂原封装
86720
代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百
ST
24+
TO-247-3
118
ST
NEW
TO-247
8795
代理全系列销售, 全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

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