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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STU70N2LH5 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7.5mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STU70N2LH5 | N-channel 25 V, 0.006 廓, 48 A - DPAK - IPAK STripFET??V Power MOSFET 文件：232.2 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STU70N2LH5 | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：861.43 Kbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 48A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 25V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =7.1mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-channel 25 V, 0.006 廓, 48 A - DPAK - IPAK STripFET??V Power MOSFET 文件：232.2 Kbytes Page：12 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STU70N2LH5产品属性
- 类型
描述
- 型号
STU70N2LH5
- 功能描述
MOSFET N-Ch, 25V-0.006ohms 48A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO2513 Short Leads IPak TO251A |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
ST |
24+ |
TO-251 |
11000 |
原装正品 有挂有货 假一赔十 |
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ST |
25+ |
TO-251 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ST |
25+ |
TO-251 |
4412 |
||||
ST/意法 |
2023+ |
TO251 |
2000 |
专注全新正品,优势现货供应 |
|||
ST/意法 |
2450+ |
TO-251 |
6885 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
SST |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
||||
ST |
25+ |
TO-251 |
30000 |
原装现货,假一赔十. |
|||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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