型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STU27N3LH5

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.02Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STU27N3LH5

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

STU27N3LH5

N-channel 30 V, 0.014, 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET

文件:1.02175 Mbytes Page:21 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.02Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-channel 30 V, 0.014, 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.84437 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

STU27N3LH5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STU27N3LH5

  • 功能描述

    MOSFET N-channel 30 V 27 A DPAK IPAK

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
22+
TO-251-3
100000
代理渠道/只做原装/可含税
ST/意法半导体
25+
原厂封装
10280
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源!
ST
21+
TO-251
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法
22+
N/A
5925
现货,原厂原装假一罚十!
ST/意法
23+
NA
25630
原装正品
ST/意法半导体
25+
原厂封装
9999
ST/意法
21+
NA
12820
只做原装,质量保证
ST/意法
23+
TO-251-3(IPAK)
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
ST
22+
TO2513 Short Leads IPak TO251A
9000
原厂渠道,现货配单
ST
24+
TO-251
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十

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