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27N3LH5

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=27A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.02Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-channel 30 V, 0.014, 27 A, DPAK, IPAK, TO-220 STripFET V Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

更新时间:2026-1-30 9:31:00
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