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STU04N20

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

Power Filed Effect Transistor

FEATURES ◆ Robust High Voltage Termination ◆ Avalanche Energy Specified ◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

JIANGSU

长电科技

Super high dense cell design for low RDS(ON).

STU412S TO-252 Single-N STU420S TO-252 Single-N STU442S TO-252 Single-N STU410S TO-252 Single-N STU456A TO-252 Single-N STU456S TO-252 Single-N STU448S TO-252 Single-N STU466S TO-252 Single-N STU446S TO-252 Single N STU432L TO-252 Single N STU438A TO-252 Single-N STU458S TO-252 Single N

Samhop

三合微科

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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A-POWER

富鼎先进电子

TO-252 package design

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STANSON

更新时间:2025-8-8 23:00:00
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