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CJP04N20

Power Filed Effect Transistor

FEATURES ◆ Robust High Voltage Termination ◆ Avalanche Energy Specified ◆ Source-to-Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode ◆ Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits ◆ IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature

JIANGSU

长电科技

Super high dense cell design for low RDS(ON).

STU412S TO-252 Single-N STU420S TO-252 Single-N STU442S TO-252 Single-N STU410S TO-252 Single-N STU456A TO-252 Single-N STU456S TO-252 Single-N STU448S TO-252 Single-N STU466S TO-252 Single-N STU446S TO-252 Single N STU432L TO-252 Single N STU438A TO-252 Single-N STU458S TO-252 Single N

SAMHOP

三合微科

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

文件:63.07 Kbytes Page:4 Pages

A-POWER

富鼎先进电子

TO-252 package design

文件:862.03 Kbytes Page:7 Pages

STANSON

司坦森

Super high dense cell design for low RDS(ON).

文件:147.86 Kbytes Page:10 Pages

SAMHOP

三合微科

CJP04N20产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    CJP04N20

  • 制造商

    JIANGSU

  • 制造商全称

    Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

  • 功能描述

    Power Filed Effect Transistor

更新时间:2026-8-2 19:32:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
长电
25+23+
TO-220-3L
23787
绝对原装正品全新进口深圳现货
CJ/长电
2020+
TO-220-3L
3000
原装现货支持BOM配单服务
TI
25+
MSOP10
4500
全新原装、诚信经营、公司现货销售!
TI
24+
MSOP10
1622
CJ/长电
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 承诺假一赔百
changdian
TO-220
22+
6000
十年配单,只做原装
CJ/长电
23+
TO-220-3L
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
长电
2015
TO-220-3L
59080
CJ/长电
25+
TO-220-3L
50000
原装现货,客户工厂料
CJ/长电
24+
TO-220-3L
50000
只做原装,欢迎询价,量大价优

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