位置:首页 > IC中文资料第227页 > STS7C4F30L
型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STS7C4F30L | N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET??POWER MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 Ω - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 Ω - 4A SO-8 This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique ”Single Feature Size strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on resistance, rugged avalan | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | ||
STS7C4F30L | N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件:1.13459 Mbytes Page:14 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | ||
STS7C4F30L | N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET™ POWER MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |
STS7C4F30L产品属性
- 类型
描述
- 型号
STS7C4F30L
- 功能描述
MOSFET N+P 30V 4/7A 8-SOIC
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列
STripFET™
- 产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装
1
- 系列
- FET
- 型
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
- 功率 -
- 最大
1.4W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
- 包装
Digi-Reel®
- 产品目录页面
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST/意法 |
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NA/ |
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深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号:STS5N15F4 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 STMicroelectronics 包装:2500 封装:8-SOIC
2021-9-18STS12NH3LL 专营MOS长期供应
1 Channel P-Channel MOSFET , SMD/SMT N-Channel 2 A MOSFET , P-Channel MOSFET 25 V MOSFET , TO-247AC-3 N-Channel MOSFET , TO-252-3 SMD/SMT 1 Channel P-Channel 58 W MOSFET , 2 Channel N-Channel 40 A 30 V MOSFET
2020-6-12STR912FAW44X6QFPARM微控制器-MCU32MCU25696RAMETHERNETUSBCAN
STR912FAW44X6QFPARM微控制器-MCU32MCU25696RAMETHERNETUSBCAN
2019-3-15
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