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STPSC8H065G2Y-TR

Automotive 650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode

Features • AEC-Q101 qualified • No reverse recovery charge in application current range • Switching behavior independent of temperature • Recommended to PFC applications • PPAP capable • VRRM guaranteed from -40 to 175 °C • D²PAK HV creepage distance (anode to cathode) = 5.38 mm min. (with

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STPSC8H065G2Y-TR

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB 包装:管件管件 描述:AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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意法半导体

更新时间:2026-1-29 23:00:00
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