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STPSC40H12CWY

40 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

STPSC40H12CWY

封装/外壳:TO-247-3 包装:散装 描述:2X20A 1200V POWER SCHOTTKY SILIC 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列

STMICROELECTRONICS

意法半导体

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The NCE40H12A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =40V,ID =120A RDS(ON)

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新洁能

更新时间:2026-1-4 18:03:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法)
24+
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ST/意法半导体
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STMicroelectronics
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24+
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