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N-CHANNEL800V-0.85ohm-9.3A-TO-247PowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAYprocess,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)per

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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更新时间:2024-9-24 13:48:01
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