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TMOSPOWERFET9.0AMPERES100VOLTSRDS(on)=0.25OHM

TMOSE-FETPowerFieldEffectTransistorDPAKforSurfaceMount N–ChannelEnhancement–ModeSiliconGate ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoveryt

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,p

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

POWERMOSFET9AMPS,100VOLTS

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

POWERMOSFET9AMPS,100VOLTS

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ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

100VN-ChannelMOSFET

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PANJITPANJIT International Inc.

强茂強茂股份有限公司

PANJIT
更新时间:2024-6-22 23:00:01
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