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iscN-ChannelMOSFETTransistor

DESCRIPTION ·DrainCurrent:ID=45A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=69mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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N-channel250V-0.055廓-45A-D2PAK-TO-220lowgatechargeSTripFET??PowerMOSFET

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STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

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更新时间:2024-6-24 10:30:01
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