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isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current : ID= 45A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 69mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·motor drive,

ISC

无锡固电

N-channel 250V - 0.055廓 - 45A - D2PAK - TO-220 low gate charge STripFET??Power MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

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意法半导体

更新时间:2025-12-31 22:27:01
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