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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STP30N20 | N-Channel200V(D-S)MOSFET 文件：1.58708 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   |
30A,200VN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheUTC30N20isanN-channelmodePowerFET,itusesUTC’sadvancedtechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistance,superiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode. FEATURES *RDS(ON) | UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司 |  | | |
PowerMOSFET30Amps,200VoltsN-ChannelEnhancementïModeTO-220 Features •SourceïtoïDrainDiodeRecoveryTimeComparabletoaDiscrete FastRecoveryDiode •AvalancheEnergySpecified •IDSSandRDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature •PbïFreePackageisAvailable Applications •PWMMotorControls •PowerSupplies •Converters | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  | | |
N-Channel200V(D-S)MOSFET 文件：1.60365 Mbytes Page：7 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
PanelsandPanelAccessories 文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages | PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团 |  | | |
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STP30N20产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP30N20
- 功能描述
MOSFET Power MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
17+ |
TO-220 |
15000 |
原装现货热卖 |
|||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
||||
ST原装 |
19+ |
TO-220 |
9860 |
一级代理 |
|||
ST |
23+ |
TOTO-220 |
37650 |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
ST |
TO-220 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
ST |
TO-220 |
93480 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
||||
VBSEMI |
19+ |
TO-220AB |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
ST原装 |
22+23+ |
TO-220 |
23589 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
ST |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
ST/意法 |
22+ |
TO-220 |
19764 |
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2020-3-12
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