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STP20NE10

N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET

DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size™” strip-based process.The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable m

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP20NE10

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance; -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

STP20NE10

N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP20NE10产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP20NE10

  • 功能描述

    MOSFET RO 511-STP24NF10 TO-220 N-CH 100V 20A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-1 17:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
N/A
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