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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STP20NE10 | N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET DESCRIPTION This Power MOSFET is the latest development of SGS-THOMSON unique ”Single Feature Size™” strip-based process.The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable m | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STP20NE10 | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 0.1Ω(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | |
STP20NE10 | N - CHANNEL 100V - 0.07ohm - 20A - TO-220 STripFET MOSFET | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
STP20NE10产品属性
- 类型
描述
- 型号
STP20NE10
- 功能描述
MOSFET RO 511-STP24NF10 TO-220 N-CH 100V 20A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-6-18
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