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N-channel30V,2.15m(ohm)typ.,120APowerMOSFETinaTO-220package

Features Verylowon-resistance Verylowgatecharge Highavalancheruggedness Lowgatedrivepowerloss Applications Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFETwith verylowRDS(on)inallpackages.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
更新时间:2024-6-17 16:46:00
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