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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STP160N3LL | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 30V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance； -RDS(on) = 3.2mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 |   | |
STP160N3LL | N沟道30 V、2.5 mOhm典型值、120 A STripFET H6功率MOSFET，TO-220封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STP160N3LL | Very low on-resistance 文件：393.83 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
STP160N3LL | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.55344 Mbytes Page：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
更新时间：2025-12-30 23:01:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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