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N-channel 600 V, 0.340 廓 typ., 11 A MDmesh??M2 EP Power MOSFET in a TO-220 package

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意法半导体

N沟道600 V、0.340 Ohm典型值、11 A MDmesh M2 EP功率MOSFET,TO-220封装

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意法半导体

Extremely low gate charge

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意法半导体

Extremely low gate charge

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意法半导体

Extremely low gate charge

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意法半导体

N-channel 600 V, 0.389 廓 typ., 7 A MDmesh??M2 EP Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 HV package

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意法半导体

更新时间:2026-1-1 13:39:00
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