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STP110N7F6 | N-channel 68 V, 0.0055 Ω typ., 110 A, STripFET™ F6 Power MOSFET in a TO-220 package Features • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss Applications • Switching applications Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. Th | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STP110N7F6 | N-channel 68 V, 0.0055 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
更新时间：2025-9-25 13:02:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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