STP105N3LL价格

参考价格:¥4.4733

型号:STP105N3LL 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有STP105N3LL多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,STP105N3LL批发/采购报价,STP105N3LL行情走势销售排行榜,STP105N3LL报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
STP105N3LL

Low gate drive power losses

Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. Features • RDS(on) * Qg industry benchmark • Extremely low on-resistance

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP105N3LL

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:1.69639 Mbytes Page:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

STP105N3LL

N沟道30 V、2.7 mOhm典型值、150 A STripFET H6功率MOSFET,TO-220封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP105N3LL

Isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:318.47 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

Low gate drive power losses

Description This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6th generation of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages. Features • RDS(on) * Qg industry benchmark • Extremely low on-resistance

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STP105N3LL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    STP105N3LL

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 30V 2.7mOhm 150A STripFET VI

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-1 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
3260
原厂直销,现货供应,账期支持!
ST/意法半导体
21+
TO-220-3
8860
只做原装,质量保证
ST(意法半导体)
24+
TO-220
9203
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
ST/意法
24+
TO-220
18000
原装正品 有挂有货 假一赔十
ST/意法
24+
TO-220
5000
全新原装正品,现货销售
ST/意法半导体
23+
N/A
20000
ST/意法
25+
TO-220
13183
STMICROELECTRONICS
2145
con
100
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格
ST
23+
TO-220
8000
只做原装现货
ST(意法)
25+
TO-220-3
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

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