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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
STO68N65DM6

N-channel650V,53mtyp.,55AMDmeshDM6PowerMOSFETinaTO‑LLpackage

Features •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected •Excellentswitchingperformancethankstotheextradrivingsourcepin Desc

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意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
SH68N65DM6AG

Automotive-gradeN-channel650V,35mtyp.,64AMDmeshDM6half-bridgetopologyPowerMOSFETinanACEPACKSMITpackage

Features •AQG324qualified •Half-bridgepowermodule •650Vblockingvoltage •Fastrecoverybodydiode •Verylowswitchingenergies •Lowpackageinductance •Diceondirectbondcopper(DBC)substrate •Lowthermalresistance •Isolationratingof3.4kVrms/min Description This

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STWA68N65DM6

N-channel650V,51mtyp.,55AMDmeshDM6PowerMOSFETinaTO-247longleadspackage

Features •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体（ST）集团

STMICROELECTRONICS
STWA68N65DM6AG

Automotive-gradeN-channel650V,33mtyp.,72AMDmeshDM6PowerMOSFETinaTO-247longleadspackage

Features •AEC-Q101qualified •Fast-recoverybodydiode •LowerRDS(on)perareavspreviousgeneration •Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance •100avalanchetested •Extremelyhighdv/dtruggedness •Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETis

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STO68N65DM6供应商更多...

更新时间：2024-6-6 18:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市弘扬芯城科技有限公司
STO68N65DM6
ST(意法半导体)
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