位置：首页 > IC中文资料 > STLD110N10F7
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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STLD110N10F7 | N-channel 100 V, 5 mΩ typ., 107 A STripFET™ F7 Power MOSFET in a PowerFLAT™ 5x6 dual side cooling package Features • Among the lowest RDS(on) on the market • Excellent FoM (figure of merit) • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity • High avalanche ruggedness Applications Switching applications Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench g | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
High avalanche ruggedness 文件：1.03501 Mbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
N-channel 100 V, 5.1 m廓 typ., 110 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages 文件：1.23098 Mbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：310.71 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
High avalanche ruggedness 文件：1.03501 Mbytes Page：15 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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STMicroelectronics |
25+ |
N/A |
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样件支持,可原厂排单订货! |
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STMicroelectronics |
25+ |
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ST |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-8 |
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ST |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法半导体 |
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PowerFLAT-5x6-8 |
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ST/意法半导体 |
21+ |
PowerFLAT-5x6-8 |
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NA |
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STLD110N10F7规格书下载地址
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