| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
STL8DN6LF6AG | 丝印代码：8DN6LF6；Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m廓 typ., 32 A STripFET??F6 Power MOSFET in a PowerFLAT??5x6 DI package 文件：939.17 Kbytes Page：16 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
STL8DN6LF6AG | 汽车级双路N沟道60 V、21 mOhm典型值、32 A STripFET F6功率MOSFET，PowerFLAT 5x6双岛封装 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
Automotive-grade dual N-channel 60 V, 21 m typ., 8 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package Features • AEC-Q101 qualified • Very low on-resistance • Very low gate charge • High avalanche ruggedness • Low gate drive power loss • Logic level Description This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using the STripFET F6 technology with a new trench gate structure. The r | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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