| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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STL7N60M2 | Extremely low gate charge 文件：310.76 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.95Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. | ISC 无锡固电 | | ||
N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10573 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Extremely low gate charge 文件：1.20522 Mbytes Page：21 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Low gate input resistance 文件：865.37 Kbytes Page：13 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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