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STL110N4F7AG

Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mΩ typ., 108 A STripFETTM F7 Power MOSFET in a PowerFLATTM 5x6 package

Features  AEC-Q101 qualified  Among the lowest RDS(on) on the market  Excellent FoM (figure of merit)  Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  High avalanche ruggedness Description This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure tha

STMICROELECTRONICS

意法半导体

STL110N4F7AG

汽车级N沟道40 V、2.1 mOhm典型值、108 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

STMICROELECTRONICS

意法半导体

更新时间:2025-9-30 22:59:00
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